目前市场上主要防雷的器件有这么几种，我们最熟悉的防雷器件有陶瓷气体放电管、半导体放电管、强效放电管、瞬态抑制二极管等，在实际的应用中陶 瓷气体放电管和瞬态抑制二极管的应用更多，半导体放电管和强效放电管则相对偏少。讲到保护效果的话，应该是气体放电管和半导体放电管是比较好的，因此作为 一名合格的FAE工程师就很有必要了解这两款市场中常用的放电管的产品信息，本篇重点为大家介绍半导体固体放电管TSS管的标识符号与选型要点。
半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可 靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的 电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于最小维持电流。
图：半导体固体放电管TSS管的标识符号
半导体固体放电管TSS管的选型要点：
Vdrw>电路上的工作电压
1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V) 和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号 电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管TSS管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。